IPD95R450P7ATMA1

Symbol Micros: TIPD95r450p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: DPAK
Trans MOSFET N-CH 950V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK IPD95R450P7
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPD95R450P7ATMA1 Gehäuse: DPAK  
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Nettopreis (EUR) 0,9418
Standard-Verpackung:
2500
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 14A
Maximaler Leistungsverlust: 104W
Gehäuse: DPAK
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 950V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD