IPI029N06NAKSA1
Symbol Micros:
TIPI029n06n
Gehäuse: TO262
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 30V; 2,9 mOhm; 24A; 3W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 24A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPI029N06NAKSA1
Gehäuse: TO262
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6354 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPI029N06NAKSA1
Gehäuse: TO262
Externes Lager:
500 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6100 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,9mOhm |
| Max. Drainstrom: | 24A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3W |
| Gehäuse: | TO262 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole