IPI040N06N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPI040n06n3g
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Gehäuse: TO262
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 4mOhm; 90A; 188W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 188W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPI040N06N3GXKSA1 Gehäuse: TO262  
Externes Lager:
500 stk.
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Nettopreis (EUR) 0,5706
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50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4mOhm
Max. Drainstrom: 90A
Maximaler Leistungsverlust: 188W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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