IPI045N10N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPI045n10n3g
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Gehäuse: TO262
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,5 mOhm; 100A; 214 W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPI045N10N3GXKSA1 Gehäuse: TO262  
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Nettopreis (EUR) 1,1925
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50
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 4,5mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 214W
Gehäuse: TO262
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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