IPI80N06S407AKSA2

Symbol Micros: TIPI80N06S4-07
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
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Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-262

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPI80N06S407AKSA2 RoHS Gehäuse: TO262 Datenblatt
Auf Lager:
56 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3466 0,9422 0,7551 0,7318 0,7084
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 7,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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