IPI80N06S407AKSA2

Symbol Micros: TIPI80N06S4-07
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO262
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 7,4 mOhm; 80A; 79W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPI80N06S407AKSA2 RoHS Gehäuse: TO262 Datenblatt
Auf Lager:
56 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3451 0,9411 0,7543 0,7309 0,7076
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Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 7,4mOhm
Max. Drainstrom: 80A
Maximaler Leistungsverlust: 79W
Gehäuse: TO262
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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