IPN60R1K0PFD7S

Symbol Micros: TIPN60r1k0pfd7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 1,978 Ohm; 4,7A; 6W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R1K0PFDS7SATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,978Ohm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 6W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R1K0PFD7SATMA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2310
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 1,978Ohm
Max. Drainstrom: 4,7A
Maximaler Leistungsverlust: 6W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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