IPN60R2K1CEATMA1
Symbol Micros:
TIPN60r2k1ce
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 2,1 Ohm; 3,7A; 5W; -40°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,1Ohm |
| Max. Drainstrom: | 3,7A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 5W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -40°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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