IPN60R360PFD7S

Name: TIPN60r360pfd7s TIPN60r360pfd7s
Brand: Infineon
SKU: TIPN60r360pfd7s
Price: 0.4720 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIPN60r360pfd7s

Gehäuse: SOT223

N-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 705 mOhm; 10A; 7W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R360PFD7SATMA1;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	705mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	7W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

1 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9924	0,6585	0,5457	0,4927	0,4720

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

2 stk.

Anzahl Stück	1+	2+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9924	0,8059	0,5825	0,4997	0,4720

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R360PFD7SATMA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt

Auf Lager:

47 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	47+	188+
Nettopreis (EUR)	0,9924	0,7276	0,5825	0,5020	0,4720

Widerstand im offenen Kanal:	705mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	7W
Gehäuse:	SOT223
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-40°C ~ 150°C
Montage:	SMD