IPN60R600P7S

Symbol Micros: TIPN60r600p7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 1,145 Ohm; 6A; 7W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPN60R600P7SATMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 1,145mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN60R600P7SATMA1 RoHS Gehäuse: SOT223t/r Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 1,1279 0,7496 0,6212 0,5604 0,5371
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 1,145mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 7W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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