IPN70R450P7SATMA1

Symbol Micros: TIPN70r450p7s
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 700V; +/-16V; 450 mOhm; 10A; 7,1 W; -40°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 7,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN70R450P7SATMA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2012
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 450mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 7,1W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 700V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 16V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: SMD

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