IPN80R1K2P7ATMA1
Symbol Micros:
TIPN80r1k2p7
Gehäuse: SOT223
N-Channel-MOSFET-Transistor; 800V; +/-20V; 1,2 Ohm; 4,5A; 6,8 W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 1,2Ohm |
| Max. Drainstrom: | 4,5A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 6,8W |
| Gehäuse: | SOT223 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 800V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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