TIPN80r2k4p7

Symbol Micros: TIPN80r2k4p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT223
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Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; +/-20V; 2,4Ohm; 2,4A; 6,3W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 6,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPN80R2K4P7ATMA1 Gehäuse: SOT223  
Externes Lager:
27000 stk.
Anzahl Stück 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,2627
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Standard-Verpackung:
3000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 2,4Ohm
Max. Drainstrom: 2,4A
Maximaler Leistungsverlust: 6,3W
Gehäuse: SOT223
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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