IPP032N06N3G
Symbol Micros:
TIPP032n06n3g
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,2 mOhm; 120A; 188W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP032N06N3GXKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 120A |
Maximaler Leistungsverlust: | 188W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP032N06N3GXKSA1 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4642 | 1,0252 | 0,8197 | 0,7963 | 0,7706 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP032N06N3GXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
550 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7706 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,2mOhm |
Max. Drainstrom: | 120A |
Maximaler Leistungsverlust: | 188W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon Technologies |
Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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