IPP032N06N3G

Symbol Micros: TIPP032n06n3g
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3,2 mOhm; 120A; 188W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IPP032N06N3GXKSA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,2mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 188W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP032N06N3GXKSA1 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,4642 1,0252 0,8197 0,7963 0,7706
Standard-Verpackung:
50/100
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP032N06N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
550 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,7706
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 3,2mOhm
Max. Drainstrom: 120A
Maximaler Leistungsverlust: 188W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT