IPP076N12N3GXKSA1
Symbol Micros:
TIPP076n12n3g
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 120V; 20V; 7,6 mOhm; 100A; 188W; -55°C~175°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 188W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 120V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP076N12N3GXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7565 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPP076N12N3GXKSA1
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1000 stk.
| Anzahl Stück | 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,7264 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 7,6mOhm |
| Max. Drainstrom: | 100mA |
| Maximaler Leistungsverlust: | 188W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 120V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole