TIPP50r280ce

Symbol Micros: TIPP50r280ce
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Tranzystor N-Channel MOSFET; 500V; 20V; 280mOhm; 13A; 92W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 92W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 13V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP50R280CEXKSA1 Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4195
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 280mOhm
Max. Drainstrom: 13A
Maximaler Leistungsverlust: 92W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 500V
Msx. Drain-Gate Spannung: 13V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole