IPP600N25N3GXKSA1

Symbol Micros: TIPP600n25n3g
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Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 60mOhm; 25A; 136W; -55°C~175°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP600N25N3GXKSA1 Gehäuse: TO220  
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5615 stk.
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Nettopreis (EUR) 1,2112
Standard-Verpackung:
50
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Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 60mOhm
Max. Drainstrom: 25A
Maximaler Leistungsverlust: 136W
Gehäuse: TO220
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 250V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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