IPP60R125CP

Symbol Micros: TIPP60r125cp

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 300 mOhm; 25A; 208W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPP60R125CPXKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	300mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Widerstand im offenen Kanal:	300mOhm
Max. Drainstrom:	25A
Maximaler Leistungsverlust:	208W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT