IPP60R190C6

Name: TIPP60r190c6 TIPP60r190c6
Brand: Infineon
SKU: TIPP60r190c6
Price: 1.4105 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIPP60r190c6

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 440 mOhm; 20,2A; 151W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPP06R190C6XKSA1;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	440mOhm
Max. Drainstrom:	20,2A
Maximaler Leistungsverlust:	151W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R190C6 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	2,1157	1,6790	1,4618	1,4361	1,4105

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R190C6XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

7448 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4105

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPP60R190C6XKSA1 Gehäuse: TO220

Externes Lager:

136 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,4993

Widerstand im offenen Kanal:	440mOhm
Max. Drainstrom:	20,2A
Maximaler Leistungsverlust:	151W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	650V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	30V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT