IPS60R360PFD7S

Symbol Micros: TIPS60r360pfd7s
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Gehäuse: TO251 (IPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 20V; 714 mOhm; 10A; 43W; -40 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPS60R360PFD7SAKMA1;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 714mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPS60R360PFD7SAKMA1 RoHS Gehäuse: TO251 (IPACK) Datenblatt
Auf Lager:
15 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,3480 0,9445 0,8023 0,7323 0,7090
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Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 714mOhm
Max. Drainstrom: 10A
Maximaler Leistungsverlust: 43W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -40°C ~ 150°C
Montage: THT

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