IPT004N03LATMA1

Symbol Micros: TIPT004n03l
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Gehäuse: HSOF8
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; +/-20V; 0,4 mOhm; 300A; 3,8 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 0,4mOhm
Max. Drainstrom: 300A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: HSOF8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPT004N03LATMA1 Gehäuse: HSOF8  
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,9767
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Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 0,4mOhm
Max. Drainstrom: 300A
Maximaler Leistungsverlust: 3,8W
Gehäuse: HSOF8
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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