IPT015N10N5ATMA1 INFINEON
Symbol Micros:
TIPT015n10n5
Gehäuse: HSOF8
N-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 2mOhm; 300A; 375 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 300A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | HSOF8 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPT015N10N5ATMA1
Gehäuse: HSOF8
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,1732 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPT015N10N5ATMA1
Gehäuse: HSOF8
Externes Lager:
667477 stk.
| Anzahl Stück | 2000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7946 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2mOhm |
| Max. Drainstrom: | 300A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 375W |
| Gehäuse: | HSOF8 |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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