TIPU80r900p7

Symbol Micros: TIPU80r900p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
Tranzystor N-Channel MOSFET; 800V; 20V; 900mOhm; 6A; 45W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPU80R900P7AKMA1 Gehäuse: TO251 (IPACK)  
Externes Lager:
1500 stk.
Anzahl Stück 1500+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,4763
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
1500
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 900mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 45W
Gehäuse: TO251 (IPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 800V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole