IPW60R041C6

Symbol Micros: TIPW60r041c6
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Gehäuse: TO 3P
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 96mOhm; 77,5A; 481 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R041C6FKSA1;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 96mOhm
Max. Drainstrom: 77,5A
Maximaler Leistungsverlust: 481W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R041C6 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
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2 stk.
Anzahl Stück 1+ 2+ 4+ 10+ 20+
Nettopreis (EUR) 18,9518 18,3256 17,8700 17,4494 17,2298
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Standard-Verpackung:
2
Widerstand im offenen Kanal: 96mOhm
Max. Drainstrom: 77,5A
Maximaler Leistungsverlust: 481W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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