IPW60R070P6XKSA1

Symbol Micros: TIPW60r070p6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 70mOhm; 53,5A; 391W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 53,5A
Maximaler Leistungsverlust: 391W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R070P6XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
428 stk.
Anzahl Stück 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,2085
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 70mOhm
Max. Drainstrom: 53,5A
Maximaler Leistungsverlust: 391W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole