IPW60R099C6

Symbol Micros: TIPW60r099c6
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
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Transistor N-Channel MOSFET; 650V; 30V; 230mOhm; 37,9A; 278W; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 90+
Nettopreis (EUR) 5,0476 4,6478 4,4023 4,2784 4,2059
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Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 230mOhm
Max. Drainstrom: 37,9A
Maximaler Leistungsverlust: 278W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 650V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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