IPW60R099C6
Symbol Micros:
TIPW60r099c6
Gehäuse: TO 3P
N-Channel-MOSFET-Transistor; 650V; 30V; 230 mOhm; 37,9A; 278 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IPW60R099C6FKSA1;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 37,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 278W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1 RoHS
Gehäuse: TO 3P
Datenblatt
Auf Lager:
30 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 90+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,0417 | 4,6424 | 4,3972 | 4,2734 | 4,2010 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
480 stk.
| Anzahl Stück | 60+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,2010 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPW60R099C6FKSA1
Gehäuse: TO 3P
Externes Lager:
229 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 4,2010 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 230mOhm |
| Max. Drainstrom: | 37,9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 278W |
| Gehäuse: | TO 3P |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 650V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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