IPW60R190P6FKSA1
Symbol Micros:
TIPW60r190p6
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 190 mOhm; 20,2A; 151W; -55°C~150°C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 151W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPW60R190P6FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
17 stk.
| Anzahl Stück | 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4410 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IPW60R190P6FKSA1
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
520 stk.
| Anzahl Stück | 120+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,9652 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 190mOhm |
| Max. Drainstrom: | 20,2A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 151W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 600V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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