IPW90R120C3

Symbol Micros: TIPW90r120c3
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Gehäuse: TO 3P
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Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 270mOhm; 36A; 417W; -55°C ~ 150°C; IPW90R120C3FKSA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 417W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPW90R120C3 RoHS Gehäuse: TO 3P Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 10+ 20+ 40+
Nettopreis (EUR) 14,2543 13,4267 13,2210 13,0690 12,9591
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Standard-Verpackung:
5
Widerstand im offenen Kanal: 270mOhm
Max. Drainstrom: 36A
Maximaler Leistungsverlust: 417W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT

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