IPW90R340C3

Symbol Micros: TIPW90r340c3
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO 3P
Transistor N-Channel MOSFET; 900V; 30V; 760mOhm; 15A; 208W; -55°C ~ 150°C; IPW90R340C3FKSA1

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Widerstand im offenen Kanal: 760mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 208W
Gehäuse: TO 3P
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 900V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 30V
Montage: THT