IPZA60R037P7XKSA1

Symbol Micros: TIPZA60r037p7
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO247
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 600V; 20V; 37mOhm; 76A; 255 W; -55°C~150°C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 37mOhm
Max. Drainstrom: 76A
Maximaler Leistungsverlust: 255W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IPZA60R037P7XKSA1 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
420 stk.
Anzahl Stück 30+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 5,0582
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
30
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 37mOhm
Max. Drainstrom: 76A
Maximaler Leistungsverlust: 255W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 600V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole