IRF100B201 UMW

Symbol Micros: TIRF100B201 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 4,2mOhm; 192A; 441W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRF100B201; SP001561498;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 192A
Maximaler Leistungsverlust: 441W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRF100B201 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,1489 0,8780 0,7262 0,6352 0,6048
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 4,2mOhm
Max. Drainstrom: 192A
Maximaler Leistungsverlust: 441W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole