IRF1010E
Symbol Micros:
TIRF1010
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010EPBF;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 84A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
375 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 350+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0664 | 0,7070 | 0,5450 | 0,5144 | 0,5074 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
1200 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5074 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
9842 stk.
| Anzahl Stück | 100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5074 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 12mOhm |
| Max. Drainstrom: | 84A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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Gehäuse:
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Auf Lager
100 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,8644 | 0,6342 | 0,5074 | 0,4369 | 0,4111 |
Standard-Verpackung: 50
Menge (Vielfache 1)
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