IRF1010E

Symbol Micros: TIRF1010
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010EPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010EPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
375 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 350+
Nettopreis (EUR) 1,1646 0,7724 0,5954 0,5620 0,5548
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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