IRF1010ES smd

Symbol Micros: TIRF1010es
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010ESTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,7841 1,4240 1,2183 1,0943 1,0499
Standard-Verpackung:
10/50
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010ES RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
20 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9081 1,4147 1,2370 1,1504 1,1224
Standard-Verpackung:
20
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD