IRF1010ES smd

Symbol Micros: TIRF1010es

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	84A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010ES RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	300+
Nettopreis (EUR)	1,7923	1,3295	1,1627	1,0805	1,0547

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010ESTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

10 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,7923	1,4305	1,2238	1,0993	1,0547

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010ESTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

23800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,0547

Widerstand im offenen Kanal:	12mOhm
Max. Drainstrom:	84A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD