IRF1010ES smd

Symbol Micros: TIRF1010es
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 12mOhm; 84A; 200W; -55°C ~ 175°C; IRF1010ESPBF, IRF1010ESTRLPBF

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010ESTRLPBF RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,6646 1,3279 1,1362 1,0217 0,9796
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Standard-Verpackung:
10/50
Widerstand im offenen Kanal: 12mOhm
Max. Drainstrom: 84A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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