IRF1010EZ
Symbol Micros:
TIRF1010ez
Gehäuse: TO220
N-MOSFET HEXFET 60V 84A 140W 0,012? IRF1010EZPBF
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 84A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
10030 stk.
| Anzahl Stück | 400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3389 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1010EZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2000 stk.
| Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,3253 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,5mOhm |
| Max. Drainstrom: | 84A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 140W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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