IRF1010N

Symbol Micros: TIRF1010n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010NPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	85A
Maximaler Leistungsverlust:	180W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010NPBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

20 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	44+	176+
Nettopreis (EUR)	1,1773	0,8627	0,6911	0,5958	0,5601

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

7588 stk.

Anzahl Stück	300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5601

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

860 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,6087

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	85A
Maximaler Leistungsverlust:	180W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT