IRF1010NS

Name: TIRF1010ns TIRF1010ns
Brand: Infineon
SKU: TIRF1010ns
Price: 1.1749 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF1010ns

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 11mOhm; 85A; 180 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010NSTRLPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	85A
Maximaler Leistungsverlust:	180W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1010NS RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)

Auf Lager:

27 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,9971	1,5920	1,3632	1,2250	1,1749

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

4800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1749

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

8800 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1749

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010NSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

380 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1749

Widerstand im offenen Kanal:	11mOhm
Max. Drainstrom:	85A
Maximaler Leistungsverlust:	180W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD