IRF1010ZS

Name: TIRF1010zs TIRF1010zs
Brand: Infineon
SKU: TIRF1010zs
Price: 0.4601 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF1010zs

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 7,5 mOhm; 94A; 140 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1010ZSTRLPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	7,5mOhm
Max. Drainstrom:	94A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010ZSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

6400 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4845

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010ZSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

3200 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4601

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1010ZSTRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

2170 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,5888

Widerstand im offenen Kanal:	7,5mOhm
Max. Drainstrom:	94A
Maximaler Leistungsverlust:	140W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD