IRF1018ES
Symbol Micros:
TIRF1018es
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 8,4 mOhm; 79A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1018ESPBF; IRF1018ESPBF-GURT; IRF1018ESTRLPBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 79A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1018ESPBF-GURT RoHS
Gehäuse: TO263t/r (D2PAK)
Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,7280 | 1,3684 | 1,1653 | 1,0695 | 1,0158 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1018ESTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
2400 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0158 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1018ESTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
990 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,0158 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 8,4mOhm |
| Max. Drainstrom: | 79A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | Infineon Technologies |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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