IRF1018ES

Symbol Micros: TIRF1018es
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
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N-MOSFET HEXFET 60V 79A 110W 0,0084Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,4mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1018ESPBF-GURT RoHS Gehäuse: TO263t/r (D2PAK) Datenblatt
Auf Lager:
5 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 30+ 100+
Nettopreis (EUR) 1,7301 1,3700 1,1666 1,0708 1,0170
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Standard-Verpackung:
10
Widerstand im offenen Kanal: 8,4mOhm
Max. Drainstrom: 79A
Maximaler Leistungsverlust: 110W
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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