IRF1104

Symbol Micros: TIRF1104

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 9mOhm; 100A; 170 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1104PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1104PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

50 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,8682	1,5296	1,3334	1,2120	1,1676

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1104PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

883 stk.

Anzahl Stück	200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	1,1676

Widerstand im offenen Kanal:	9mOhm
Max. Drainstrom:	100A
Maximaler Leistungsverlust:	170W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT