IRF1104

Symbol Micros: TIRF1104
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-MOSFET HEXFET 40V 100A 2.4W 0,009Ω

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1104PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,8693 1,5305 1,3342 1,2127 1,1683
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 9mOhm
Max. Drainstrom: 100A
Maximaler Leistungsverlust: 170W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: THT

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