IRF1310NS
Symbol Micros:
TIRF1310ns
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
N-MOSFET HEXFET 100V 42A 3.8W 0,036? IRF1310NSPBF IRF1310NSTRLPBF IRF1310NSPBF-GURT
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 36mOhm |
| Max. Drainstrom: | 42A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1310NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
12000 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,4881 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1310NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
800 stk.
| Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,5084 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1310NSTRLPBF
Gehäuse: TO263 (D2PAK)
Externes Lager:
1330 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6045 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 36mOhm |
| Max. Drainstrom: | 42A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 3,8W |
| Gehäuse: | TO263 (D2PAK) |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | SMD |
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