IRF1312

Symbol Micros: TIRF1312
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 80V; 20V; 10mOhm; 95A; 210 W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 95A
Maximaler Leistungsverlust: 210W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1312 RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
44 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 44+ 132+
Nettopreis (EUR) 1,5732 1,1972 0,9873 0,8674 0,8281
Standard-Verpackung:
44
Widerstand im offenen Kanal: 10mOhm
Max. Drainstrom: 95A
Maximaler Leistungsverlust: 210W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung: 80V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT