IRF1324
Symbol Micros:
TIRF1324
Gehäuse: TO220
N-MOSFET HEXFET 24V 353A 300W 0,0015Ω
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 1,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 353A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 24V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Widerstand im offenen Kanal: | 1,5mOhm |
Max. Drainstrom: | 353A |
Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 24V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | THT |
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