IRF1404S

Symbol Micros: TIRF1404s

Gehäuse: TO263 (D2PAK)

N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 4mOhm; 162A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404SPBF; IRF1404STRLPBF; IRF1404STRRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	162A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1404STR RoHS Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

6 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	1,5926	1,1162	0,9481	0,8664	0,8383

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

9600 stk.

Anzahl Stück	800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8383

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1404S RoHS IRF1404STR RoHS IRF1404SPB Gehäuse: TO263 (D2PAK) Datenblatt

Auf Lager:

30 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	30+	150+	300+
Nettopreis (EUR)	1,5926	1,1139	0,9154	0,8523	0,8383

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1404STRLPBF Gehäuse: TO263 (D2PAK)

Externes Lager:

980 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,8383

Widerstand im offenen Kanal:	4mOhm
Max. Drainstrom:	162A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO263 (D2PAK)
Hersteller:	International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung:	40V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	SMD