IRF1404ZPBF
Symbol Micros:
TIRF1404z
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,7 mOhm; 190A; 220 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1404ZPBF; IRF1404ZGPBF; IRF1404ZLPBF; IRF1404Z;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 190A |
Maximaler Leistungsverlust: | 220W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1404Z RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,4928 | 1,1886 | 1,0178 | 0,9149 | 0,8774 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1404ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
6950 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8774 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1404ZPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
160 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8774 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 190A |
Maximaler Leistungsverlust: | 220W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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