IRF1404ZS Infineon
Symbol Micros:
TIRF1404zs
Gehäuse: D2PAK
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 3,7 mOhm; 180A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; IRF1404ZSPBF; IRF1404ZSTRLPBF; IRF1404ZSTRRPBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 3,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 180A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | D2PAK |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1404ZS RoHS
Gehäuse: D2PAK t/r
Datenblatt
Auf Lager:
98 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 300+ |
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Nettopreis (EUR) | 2,5204 | 1,9990 | 1,8087 | 1,7100 | 1,6795 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1404ZSTRLPBF
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
1600 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6795 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1404ZSTRLPBF
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
8000 stk.
Anzahl Stück | 800+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 1,6795 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1404ZSTRLPBF
Gehäuse: D2PAK
Externes Lager:
620 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6795 |
Widerstand im offenen Kanal: | 3,7mOhm |
Max. Drainstrom: | 180A |
Maximaler Leistungsverlust: | 200W |
Gehäuse: | D2PAK |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | SMD |
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