IRF1407
Symbol Micros:
TIRF1407
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 7,8 mOhm; 130A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1407PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 7,8mOhm |
Max. Drainstrom: | 130A |
Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
13 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,6706 | 1,1702 | 0,9366 | 0,8913 | 0,8794 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,8794 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 1,1150 |
Widerstand im offenen Kanal: | 7,8mOhm |
Max. Drainstrom: | 130A |
Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | International Rectifier |
Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole