IRF1407

Symbol Micros: TIRF1407
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 7,8 mOhm; 130A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF1407PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 7,8mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
13 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 50+ 200+ 400+
Nettopreis (EUR) 1,6706 1,1702 0,9366 0,8913 0,8794
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
2700 stk.
Anzahl Stück 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,8794
Standard-Verpackung:
100
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF1407PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 1,1150
Standard-Verpackung:
10
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 7,8mOhm
Max. Drainstrom: 130A
Maximaler Leistungsverlust: 330W
Gehäuse: TO220
Hersteller: International Rectifier
Max. Drain-Source Spannung: 75V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT