IRF200P222

Symbol Micros: TIRF200P222
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Gehäuse: TO247
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 20V; 6,6 mOhm; 182A; 556 W; -55°C~175°C; Äquivalent: IRF200P223;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,6mOhm
Max. Drainstrom: 182A
Maximaler Leistungsverlust: 556W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF200P223 Gehäuse: TO247  
Externes Lager:
674 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 2,9058
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Standard-Verpackung:
25
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 6,6mOhm
Max. Drainstrom: 182A
Maximaler Leistungsverlust: 556W
Gehäuse: TO247
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 200V
Msx. Drain-Gate Spannung: 10V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT

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