IRF250P225
Symbol Micros:
TIRF250P225
Gehäuse: TO247
N-Channel-MOSFET-Transistor; 250V; 20V; 22mOhm; 69A; 313W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 69A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 313W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF250P225 RoHS
Gehäuse: TO247
Auf Lager:
5 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 30+ | 100+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 5,9555 | 5,0139 | 4,4485 | 4,1658 | 3,9976 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF250P225
Gehäuse: TO247
Externes Lager:
357 stk.
| Anzahl Stück | 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 3,9976 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 22mOhm |
| Max. Drainstrom: | 69A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 313W |
| Gehäuse: | TO247 |
| Hersteller: | Infineon (IRF) |
| Max. Drain-Source Spannung: | 250V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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