IRF2804
Symbol Micros:
TIRF2804
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 2,3 mOhm; 270A; 300 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2804PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 270A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF2804 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
27 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 27+ | 81+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 2,3492 | 1,9079 | 1,6533 | 1,5389 | 1,4688 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF2804PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
4663 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4688 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF2804PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
630 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,4688 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 2,3mOhm |
| Max. Drainstrom: | 270A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 300W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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