IRF2805PBF
Symbol Micros:
TIRF2805
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 4,7 Ohm; 175A; 330 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2805LPBF; IRF2805PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 175A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF2805PBF RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
40 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,8951 | 1,5123 | 1,2945 | 1,1629 | 1,1151 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF2805PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2150 stk.
| Anzahl Stück | 200+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1151 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,7mOhm |
| Max. Drainstrom: | 175A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 330W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | INFINEON |
| Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
| Msx. Drain-Gate Spannung: | 10V |
| Transistor-Typ: | MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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