IRF2807
Symbol Micros:
TIRF2807
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 75V; 20V; 13mOhm; 82A; 230 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF2807PBF;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 13mOhm |
| Max. Drainstrom: | 82A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF2807 RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
71 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 200+ | 400+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 1,1630 | 0,8151 | 0,6530 | 0,6196 | 0,6125 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
8039 stk.
| Anzahl Stück | 300+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6125 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF2807PBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
2300 stk.
| Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,6798 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 13mOhm |
| Max. Drainstrom: | 82A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 230W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | International Rectifier |
| Max. Drain-Source Spannung: | 75V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
| Montage: | THT |
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